STP9NK50ZFP
Produktcode: 107814
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 7,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 910/32
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 0.79 EUR |
| 10+ | 0.7 EUR |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STP9NK50ZFP | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP9NK50ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.85 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP9NK50ZFP | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V |
auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP9NK50ZFP | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch, 500V-0.72ohms 7.2A |
auf Bestellung 1510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP9NK50ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.2A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 384 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STP9NK50ZFP | ST |
N-MOSFET 7,2A 50OV 30W STP9NK50ZFP TSTP9NK50ZFPAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STP9NK50ZFP |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP9NK50ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.85 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP9NK50ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.85 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 5.05 EUR |
| STP9NK50ZFP |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.38 EUR |
| 10+ | 3.47 EUR |
| 50+ | 2.65 EUR |
| 100+ | 2.39 EUR |
| STP9NK50ZFP |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch, 500V-0.72ohms 7.2A
MOSFETs N-Ch, 500V-0.72ohms 7.2A
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.4 EUR |
| 10+ | 2.67 EUR |
| 100+ | 2.4 EUR |
| 500+ | 1.96 EUR |
| 1000+ | 1.77 EUR |
| 5000+ | 1.71 EUR |
| STP9NK50ZFP |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STP9NK50ZFP |
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auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 1.49 EUR |
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| NE555P Produktcode: 26138
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|
![]() |
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer; 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer; 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 148 St.
- 148 St. - stock Köln
erwartet: 100 St.
- 100 St. - erwartet
auf Bestellung: 2170 St.
- 2170 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 0.6 EUR |
| 10+ | 0.29 EUR |
| 100+ | 0.25 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| SPP16N50C3 Produktcode: 32700
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|
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 560 V
Drain-Strom Idd, A: 16 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1600/66
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 560 V
Drain-Strom Idd, A: 16 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1600/66
Montage: THT
verfügbar: 5 St.
- 5 St. - stock Köln
erwartet: 12 St.
- 12 St. - erwartet
auf Bestellung: 56 St.
- 56 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.55 EUR |
| 10+ | 2.31 EUR |
| 330uF 35V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR331M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz) Produktcode: 2425
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 330 µF
Nennspannung: 35 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x16 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 330 µF
Nennspannung: 35 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x16 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 6000 St.
- 6000 St. - erwartet 15.12.2026
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.24 EUR |
| 10+ | 0.19 EUR |
| 100+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| STB9NK50ZT4 Produktcode: 2225
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 7,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,72 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 910/32
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 7,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,72 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 910/32
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
- 12 St. - stock Köln
auf Bestellung: 42 St.
- 42 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 0.94 EUR |
| 10+ | 0.84 EUR |
| 100+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
| STP20NM50 Produktcode: 2175
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1480/40
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1480/40
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
erwartet: 13 St.
- 13 St. - erwartet
auf Bestellung: 18 St.
- 18 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.55 EUR |
| 10+ | 4.14 EUR |











