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STPSC10065DY

STPSC10065DY STMicroelectronics

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Hersteller: STMicroelectronics
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
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Technische Details STPSC10065DY STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STPSC10065DY STPSC10065DY STMicroelectronics 449847217987046147.pdf Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
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STPSC10065DY STPSC10065DY STMicroelectronics en.DM00403688.pdf SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A SiC Power Schottky Diode
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10+3.17 EUR
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STPSC10065DY STPSC10065DY STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003588845-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10065DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 56 Stücke:
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34+7.4 EUR
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STPSC10065DY STPSC10065DY STMicroelectronics en.DM00403688.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
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3+8.54 EUR
50+4.31 EUR
100+3.97 EUR
500+3.26 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STPSC10065DY
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10065DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
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Diodenmontage: Durchsteckmontage
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Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Packaging: Tube
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Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
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Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
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