STPSC10065GY-TR STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 5.32 EUR |
| 10+ | 4.47 EUR |
| 100+ | 3.63 EUR |
| 250+ | 3.41 EUR |
| 500+ | 3.20 EUR |
| 1000+ | 2.59 EUR |
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Technische Details STPSC10065GY-TR STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: D2PAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote STPSC10065GY-TR nach Preis ab 2.80 EUR bis 7.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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STPSC10065GY-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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STPSC10065GY-TR | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10065GY-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 34nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STPSC10065GY-TR | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10065GY-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 34nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STPSC10065GY-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
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STPSC10065GY-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STPSC10065GY-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STPSC10065GY-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
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| STPSC10065GY-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 650V; 10A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: D2PAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.65V Max. load current: 22A Max. forward impulse current: 210A Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.9mA Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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STPSC10065GY-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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| STPSC10065GY-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 650V; 10A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: D2PAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.65V Max. load current: 22A Max. forward impulse current: 210A Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.9mA Application: automotive industry |
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