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STPSC10H065BY-TR

STPSC10H065BY-TR STMicroelectronics

stpsc10h065by-tr.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details STPSC10H065BY-TR STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.

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STPSC10H065BY-TR STPSC10H065BY-TR Hersteller : STMicroelectronics stpsc10h065by_tr-1851678.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V, 10 A DPAK Silicon Carbide Power Schottky Diode
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STPSC10H065BY-TR STPSC10H065BY-TR Hersteller : STMicroelectronics stpsc10h065by-tr.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STPSC10H065BY-TR Hersteller : STMicroelectronics stpsc10h065by-tr.pdf STPSC10H065BY-TR SMD Schottky diodes
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STPSC10H065BY-TR STPSC10H065BY-TR Hersteller : STMicroelectronics stpsc10h065by-tr.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
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