
STPSC10H12CWL STMicroelectronics

SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A dual High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
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Technische Details STPSC10H12CWL STMicroelectronics
Description: DIODE ARR SIC 1200V 19A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote STPSC10H12CWL nach Preis ab 6.67 EUR bis 13.38 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STPSC10H12CWL | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V |
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