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STPSC10H12CWL

STPSC10H12CWL STMicroelectronics

stpsc10h12c-1851815.pdf Hersteller: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A dual High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
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Technische Details STPSC10H12CWL STMicroelectronics

Description: DIODE ARR SIC 1200V 19A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V.

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STPSC10H12CWL STPSC10H12CWL Hersteller : STMicroelectronics en.DM00368104.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
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STPSC10H12CWL Hersteller : STMicroelectronics en.dm00368104.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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