STPSC10H12G2-TR STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Technische Details STPSC10H12G2-TR STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: D2PAK-HV, Kapazitive Gesamtladung: 57nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: N, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote STPSC10H12G2-TR nach Preis ab 3.75 EUR bis 10.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STPSC10H12G2-TR | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode |
auf Bestellung 505 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STPSC10H12G2-TR | STMicroelectronics |
Description: DIODE SIC 1.2KV 10A D2PAK HV Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: D2PAK HV Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 908 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STPSC10H12G2-TR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: D2PAK-HV Kapazitive Gesamtladung: 57nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10H12G2-TR |
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Hersteller: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode
SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.59 EUR |
| 10+ | 6.37 EUR |
| 100+ | 4.55 EUR |
| 500+ | 3.77 EUR |
| 1000+ | 3.75 EUR |
| STPSC10H12G2-TR |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 1.2KV 10A D2PAK HV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK HV
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE SIC 1.2KV 10A D2PAK HV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK HV
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 9.76 EUR |
| 10+ | 6.49 EUR |
| 100+ | 4.62 EUR |
| 500+ | 3.82 EUR |
| STPSC10H12G2-TR |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 10.7 EUR |
| 36+ | 6.59 EUR |
| 100+ | 4.84 EUR |