STPSC10H12WL STMicroelectronics
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Technische Details STPSC10H12WL STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A DO247, Packaging: Tube, Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads), Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: DO-247, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote STPSC10H12WL nach Preis ab 4.07 EUR bis 8.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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STPSC10H12WL | Hersteller : STMicroelectronics |
 Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin DO-247 Tube |
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STPSC10H12WL | Hersteller : STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode |
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STPSC10H12WL | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A DO247 Packaging: Tube Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DO-247 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V |
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| STPSC10H12WL | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin DO-247 Tube |
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STPSC10H12WL | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin DO-247 Tube |
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STPSC10H12WL | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin DO-247 Tube |
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| STPSC10H12WL | Hersteller : STMicroelectronics |
STPSC10H12WL THT Schottky diodes |
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