STPSC20065D STMicroelectronics
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Technische Details STPSC20065D STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote STPSC20065D nach Preis ab 5.57 EUR bis 9.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STPSC20065D | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V |
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STPSC20065D | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
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