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STPSC20H12D

STPSC20H12D STMicroelectronics

en.DM00295145.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
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Technische Details STPSC20H12D STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V.

Weitere Produktangebote STPSC20H12D nach Preis ab 7.53 EUR bis 14.78 EUR

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STPSC20H12D STPSC20H12D Hersteller : STMicroelectronics stpsc20h12-1851842.pdf SiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
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