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STPSC20H12WL

STPSC20H12WL STMicroelectronics

stpsc20h12-1851842.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Schottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
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Technische Details STPSC20H12WL STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A DO247, Packaging: Tube, Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads), Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: DO-247, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V.

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STPSC20H12WL STPSC20H12WL Hersteller : STMicroelectronics en.DM00295145.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
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