STPSC8065D STMicroelectronics
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Technische Details STPSC8065D STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote STPSC8065D nach Preis ab 1.32 EUR bis 5.30 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STPSC8065D | Hersteller : STMicroelectronics |
 Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
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STPSC8065D | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
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STPSC8065D | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
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STPSC8065D | Hersteller : STMicroelectronics |
Schottky Diodes & Rectifiers 650 V power Schottky silicon carbide diode |
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STPSC8065D | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V |
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STPSC8065D | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
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| STPSC8065D | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ufmax: 1.65V Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Max. forward impulse current: 200A Case: TO220AC Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.65V Max. load current: 36A Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.75mA Type of diode: Schottky rectifying Heatsink thickness: 1.23...1.32mm Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STPSC8065D | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ufmax: 1.65V Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Max. forward impulse current: 200A Case: TO220AC Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.65V Max. load current: 36A Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.75mA Type of diode: Schottky rectifying Heatsink thickness: 1.23...1.32mm Mounting: THT |
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