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STPSC8065D

STPSC8065D STMicroelectronics

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Hersteller: STMicroelectronics
Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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Technische Details STPSC8065D STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 8A, Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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STPSC8065D STPSC8065D STMicroelectronics en.DM00403693.pdf SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
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Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
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