STPSC8H065G2Y-TR STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 23.5 nC, D2PAK HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK HV
Kapazitive Gesamtladung: 23.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details STPSC8H065G2Y-TR STMICROELECTRONICS
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: D2PAK HV, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote STPSC8H065G2Y-TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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STPSC8H065G2Y-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Schottky Diodes & Rectifiers DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STPSC8H065G2Y-TR | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 23.5 nC, D2PAK HV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: D2PAK HV Kapazitive Gesamtladung: 23.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 937 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC8H065G2Y-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
STPSC8H065G2Y-TR SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STPSC8H065G2Y-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: D2PAK HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STPSC8H065G2Y-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: D2PAK HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |