Produkte > Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 > STQ1NC45R-AP
STQ1NC45R-AP

STQ1NC45R-AP

STQ1MC45R-AP_Web.pdf
Produktcode: 61971
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote STQ1NC45R-AP nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STQ1NC45R-AP STQ1NC45R-AP Hersteller : STMicroelectronics stmicroelectronics_sgsts18028-1.pdf MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.5 EUR
10+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.35 EUR
4000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NC45RAP
auf Bestellung 24745 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NC45R-AP Hersteller : ST STQ1MC45R-AP_Web.pdf 09+
auf Bestellung 127998 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NC45R-AP STQ1NC45R-AP Hersteller : STMicroelectronics STQ1MC45R-AP_Web.pdf Description: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STQ1NC45R-AP STQ1NC45R-AP Hersteller : STMicroelectronics STQ1MC45R-AP_Web.pdf Description: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH