STS10DN3LH5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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Technische Details STS10DN3LH5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STS10DN3LH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET V Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).
Weitere Produktangebote STS10DN3LH5 nach Preis ab 0.97 EUR bis 2.22 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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STS10DN3LH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
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STS10DN3LH5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS10DN3LH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET V Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
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STS10DN3LH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R |
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STS10DN3LH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R |
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STS10DN3LH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R |
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| STS10DN3LH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STS10DN3LH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R |
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STS10DN3LH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET Dual N-CH 30 V 10 A SO-8 STri |
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