STS10N3LH5 STMicroelectronics
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Technische Details STS10N3LH5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STS10N3LH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm.
Weitere Produktangebote STS10N3LH5 nach Preis ab 0.37 EUR bis 2.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STS10N3LH5 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STS10N3LH5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±22V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1278 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STS10N3LH5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS10N3LH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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STS10N3LH5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS10N3LH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
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Mindestbestellmenge: 77 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STS10N3LH5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| STS10N3LH5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 25 V
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| 8+ | 2.93 EUR |
| 12+ | 1.86 EUR |
| 100+ | 1.24 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |
| STS10N3LH5 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STS10N3LH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STS10N3LH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Produktpalette: STripFET V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
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| STS10N3LH5 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STS10N3LH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 77 Stücke:
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