Technische Details STS3DNE60L ST
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Weitere Produktangebote STS3DNE60L
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| STS3DNE60L | Hersteller : ST |
 07+ SO-8 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| STS3DNE60L | Hersteller : ST |
09+ SO-8 |
auf Bestellung 18118 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| STS3DNE60L | Hersteller : ST |
SO-8 |
auf Bestellung 55000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| STS3DNE60L | Hersteller : STM |
SO8 |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STS3DNE60L | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STS3DNE60L | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |