Technische Details STS4DNF30L
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 2W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| STS4DNF30L | ST |
09+ SO-8 |
auf Bestellung 3697 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STS4DNF30L |
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Hersteller: ST
09+ SO-8
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)

