Technische Details STS5DNF20V
- MOSFET 2N CH 20V 5A 8-SOIC
- Transistor Type:Power MOSFET
- Transistor Polarity:Dual N Channel
- Typ Voltage Vds:20V
- Cont Current Id:2.5A
- On State Resistance:30mohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
- Typ Voltage Vgs th:600mV
- Case Style:SOIC
- Termination Type:SMD
- Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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STS5DNF20V | STMicroelectronics |
  Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 20V; 5A; 1.6W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 5A On-state resistance: 40mΩ Gate-source voltage: ±12V Technology: STripFET™ II Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STS5DNF20V |
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auf Bestellung 11000 Stücke: Lieferzeit 18-25 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STS5DNF20V |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 20V; 5A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 5A
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Technology: STripFET™ II
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 20V; 5A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 5A
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Technology: STripFET™ II
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 264+ | 0.32 EUR |
| STS5DNF20V |
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