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STS5NF60L

STS5NF60L STMicroelectronics

12846071827526751.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO N T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details STS5NF60L STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STS5NF60L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STS5NF60L STS5NF60L Hersteller : STMicroelectronics en.CD00010555.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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STS5NF60L STS5NF60L Hersteller : STMicroelectronics 12846071827526751.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
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1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 585
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STS5NF60L STS5NF60L Hersteller : STMicroelectronics en.CD00010555.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 5 Amp
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2+1.97 EUR
10+1.22 EUR
100+0.81 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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STS5NF60L STS5NF60L Hersteller : STMicroelectronics en.CD00010555.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
auf Bestellung 3031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.57 EUR
11+1.63 EUR
100+1.08 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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STS5NF60L STS5NF60L Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS31094-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STS5NF60L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STS5NF60L STS5NF60L Hersteller : STMicroelectronics 12846071827526751.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO N T/R Automotive AEC-Q101
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STS5NF60L STS5NF60L Hersteller : STMicroelectronics STS5NF60L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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