STS5PF30L
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Technische Details STS5PF30L
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| STS5PF30L | Hersteller : ST |
SO-8 |
auf Bestellung 55000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| STS5PF30L | Hersteller : STM |
P-CH 30В 5А 0,07Om SO-8 IRF7204 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STS5PF30L | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) |
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STS5PF30L | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs P-Ch 30 Volt 5 Amp |
Produkt ist nicht verfügbar |