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STS6NF20V

STS6NF20V STMicroelectronics

sts6nf20v.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R
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Technische Details STS6NF20V STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STS6NF20V - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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STS6NF20V STS6NF20V Hersteller : STMicroelectronics sts6nf20v.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R
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STS6NF20V STS6NF20V Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002342.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.95V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
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STS6NF20V STS6NF20V Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B36B5963C0D2&compId=sts6nf20v.pdf?ci_sign=8fe4992790a07bff131999226a9b7584675aa7cd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; Idm: 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2410 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
118+0.61 EUR
134+0.53 EUR
139+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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STS6NF20V STS6NF20V Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B36B5963C0D2&compId=sts6nf20v.pdf?ci_sign=8fe4992790a07bff131999226a9b7584675aa7cd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; Idm: 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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STS6NF20V STS6NF20V Hersteller : STMicroelectronics sts6nf20v-1851933.pdf MOSFETs N-Ch 20 Volt 6 Amp
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Anzahl Preis
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10+1.11 EUR
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2500+0.45 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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STS6NF20V STS6NF20V Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002342.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.95V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
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STS6NF20V STS6NF20V Hersteller : STMICROELECTRONICS 2608472.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STS6NF20V - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STS6NF20V STS6NF20V Hersteller : STMICROELECTRONICS 2608472.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STS6NF20V - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STS6NF20V STS6NF20V Hersteller : STMicroelectronics sts6nf20v.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R
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STS6NF20V Hersteller : ST en.CD00002342.pdf N-MOSFET 6A 20V 2.5W STS6NF20V STM TSTS6NF20V
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
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Anzahl Preis
40+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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