STT5N2VH5 STMicroelectronics


en.DM00111322.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 20V SOT23-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 367 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2A, 4.5V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Technische Details STT5N2VH5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STT5N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: STripFET V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STT5N2VH5 STT5N2VH5 STMicroelectronics en.DM00111322.pdf Description: MOSFET N-CH 20V SOT23-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 367 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2A, 4.5V
auf Bestellung 10626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
23+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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STT5N2VH5 STT5N2VH5 STMICROELECTRONICS en.DM00111322.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STT5N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STT5N2VH5 STT5N2VH5 STMICROELECTRONICS en.DM00111322.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STT5N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STT5N2VH5 en.DM00111322.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 20V SOT23-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 367 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
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Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2A, 4.5V
auf Bestellung 10626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+1.49 EUR
23+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STT5N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
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Description: STMICROELECTRONICS - STT5N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
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