STT6N3LLH6 STMicroelectronics
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Technische Details STT6N3LLH6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STT6N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: STripFET VI DeepGATE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STT6N3LLH6 nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.36 EUR
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STT6N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R |
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STT6N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 24 V |
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STT6N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R |
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STT6N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 24 V |
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STT6N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI |
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STT6N3LLH6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STT6N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET VI DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STT6N3LLH6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STT6N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET VI DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STT6N3LLH6 Produktcode: 155989
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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STT6N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R |
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STT6N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.75A; Idm: 24A; 1.6W; SOT23-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.75A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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STT6N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R |
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| STT6N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R |
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STT6N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.75A; Idm: 24A; 1.6W; SOT23-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.75A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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