STTH810G-TR STMicroelectronics
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Technische Details STTH810G-TR STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STTH810G-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 8 A, Einfach, 2 V, 85 ns, 60 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Durchlassstoßstrom: 60A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 2V, Sperrverzögerungszeit: 85ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STTH810G-TR nach Preis ab 0.59 EUR bis 1.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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STTH810G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
 Diode Switching 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STTH810G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 8A; 47ns; D2PAK; Ufmax: 2V; Ifsm: 60A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 8A Reverse recovery time: 47ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: D2PAK Max. forward voltage: 2V Max. load current: 30A Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape |
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STTH810G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Rectifiers Ultrafast Recovery Hi Vltg Diode |
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STTH810G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DIODE STANDARD 1000V 8A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
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STTH810G-TR | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STTH810G-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 8 A, Einfach, 2 V, 85 ns, 60 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 60A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 2V Sperrverzögerungszeit: 85ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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STTH810G-TR | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STTH810G-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 8 A, Einfach, 2 V, 85 ns, 60 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 60A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 2V Sperrverzögerungszeit: 85ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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STTH810G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Switching 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STTH810G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DIODE STANDARD 1000V 8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
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