STU7N65M2 STMicroelectronics


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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a IPAK package
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Technische Details STU7N65M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STU7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 60W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STU7N65M2 STU7N65M2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001076403-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STU7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
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STU7N65M2 SGST-S-A0001076403-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STU7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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