STU7N65M2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a IPAK package
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.92 EUR |
| 10+ | 2.51 EUR |
| 100+ | 1.68 EUR |
| 500+ | 1.54 EUR |
| 3000+ | 1.24 EUR |
| 6000+ | 1.21 EUR |
| 9000+ | 1.13 EUR |
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Technische Details STU7N65M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STU7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STU7N65M2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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STU7N65M2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STU7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STU7N65M2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STU7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STU7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
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MSL: -
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Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)