STW10NK80Z

STW10NK80Z

Produktcode: 2065
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 800
Idd,A: 9
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
ZCODE: 8541290010

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Technische Details STW10NK80Z

  • MOSFET, N, TO-247
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:800V
  • Cont Current Id:9A
  • On State Resistance:0.9ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3.75V
  • Case Style:TO-247
  • Termination Type:Through Hole
  • Alternate Case Style:SOT-249
  • Max Voltage Vds:800V
  • No. of Pins:3
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.9ohm
  • Power Dissipation Pd:160W
  • Pulse Current Idm:36A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Transistor Case Style:TO-247

Preis STW10NK80Z ab 2.06 EUR bis 4.49 EUR

STW10NK80Z
Hersteller: ST

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STW10NK80Z
Hersteller: ST
N-MOSFET 9A 800V 160W 0.9? Trans. STW10NK80Z TO247 TSTW10NK80Z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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STW10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW10NK80Z
STW10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW10NK80Z
STW10NK80Z
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW10NK80Z - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 9 A, 0.9 ohm, TO-247, Through Hole
Transistor Polarity: N Channel
On Resistance Rds(on): 0.9
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 160
Continuous Drain Current Id: 9
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 3.75
Drain Source Voltage Vds: 800
Transistor Case Style: TO-247
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 3
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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STW10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Material: STW10NK80Z THT N channel transistors
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STW10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW10NK80Z
STW10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
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STW10NK80Z
STW10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Package / Case: TO-247-3
Supplier Device Package: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 25V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tube
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UC3845BN
Produktcode: 4328
CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Hersteller: ST
IC - IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 8.2...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: -40...+150°C
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STW12NK80Z
Produktcode: 33689
8977ferf7hfw.pdf
STW12NK80Z
Hersteller: ST
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 800
Idd,A: 10.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.65
Ciss, pF/Qg, nC: 2620/87
15 Stück - stock Köln
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auf Bestellung 8 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
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100+ 1.96 EUR
2200uF 25V EHR 13x26mm (EHR222M25BA-Hitano)
Produktcode: 2990
EHR_081225.pdf
2200uF 25V EHR 13x26mm (EHR222M25BA-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren - Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2200uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x26mm
8532 22 00 00
198 Stück - stock Köln
1000 Stück - erwartet 30.12.2021
1600 Stück - erwartet
1+ 0.42 EUR
10+ 0.29 EUR
100+ 0.23 EUR
1000+ 0.21 EUR
STRW6754
Produktcode: 2766
STR-W6754cds.pdf
STRW6754
Hersteller: Allegro
IC - IC Netzteile
Eigenschaften: Universal-Input/100 W Off-Line QuasiResonant Flyback Switching Regulator
Spannung, eing., V: 35V
I-ausg., A: 15A