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STW10NK80Z

STW10NK80Z

STW10NK80Z.pdf
Produktcode: 2065
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 800
Idd,A: 9
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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Technische Details STW10NK80Z ST

  • MOSFET, N, TO-247
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:800V
  • Cont Current Id:9A
  • On State Resistance:0.9ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3.75V
  • Case Style:TO-247
  • Termination Type:Through Hole
  • Alternate Case Style:SOT-249
  • Max Voltage Vds:800V
  • No. of Pins:3
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.9ohm
  • Power Dissipation Pd:160W
  • Pulse Current Idm:36A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Transistor Case Style:TO-247

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics stp10nk80z.pdf description Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 6225 Stücke:
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STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics stp10nk80z.pdf description Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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73+1.97 EUR
120+1.91 EUR
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STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics stp10nk80z.pdf description Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics stp10nk80z.pdf description Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics STP10NK80ZFP.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.13 EUR
18+4.13 EUR
30+3.35 EUR
60+3 EUR
120+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics en.CD00003020.pdf description MOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
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STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics en.CD00003020.pdf description Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
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30+5.12 EUR
120+4.26 EUR
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STW10NK80Z STW10NK80Z STMICROELECTRONICS 2309900.pdf description Description: STMICROELECTRONICS - STW10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STW10NK80Z ST en.CD00003020.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW10NK80Z TSTW10NK80Z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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STW10NK80Z description stp10nk80z.pdf
STW10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
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STW10NK80Z
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 879 Stücke:
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Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW10NK80Z TSTW10NK80Z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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