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STW10NK80Z

en.CD00003020.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW10NK80Z TSTW10NK80Z
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Technische Details STW10NK80Z ST

Description: STMICROELECTRONICS - STW10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 160W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm.

Weitere Produktangebote STW10NK80Z nach Preis ab 1.88 EUR bis 12.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics stp10nk80z.pdf description Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 6225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.84 EUR
74+2.32 EUR
120+2.21 EUR
510+2.11 EUR
1020+1.99 EUR
2520+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics stp10nk80z.pdf description Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 6222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.86 EUR
73+2.38 EUR
120+2.31 EUR
510+2.23 EUR
1020+2.15 EUR
2520+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics stp10nk80z.pdf description Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics stp10nk80z.pdf description Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics STP10NK80ZFP.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.39 EUR
18+4.87 EUR
30+4.32 EUR
60+4.03 EUR
120+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics en.CD00003020.pdf description Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
auf Bestellung 534 Stücke:
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2+10.75 EUR
30+6.09 EUR
120+5.07 EUR
510+4.32 EUR
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STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics en.CD00003020.pdf description MOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.17 EUR
10+6.94 EUR
100+5.78 EUR
600+4.94 EUR
1200+4.69 EUR
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STW10NK80Z STW10NK80Z STMICROELECTRONICS 2309900.pdf description Description: STMICROELECTRONICS - STW10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.82 EUR
35+6.75 EUR
100+4.88 EUR
500+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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STW10NK80Z description stp10nk80z.pdf
STW10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW10NK80Z
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Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
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Kind of channel: enhancement
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STW10NK80Z
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Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
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MOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 598 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+12.17 EUR
10+6.94 EUR
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600+4.94 EUR
1200+4.69 EUR
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STW10NK80Z
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
auf Bestellung 871 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
20+12.82 EUR
35+6.75 EUR
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