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STW11NK90Z

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Produktcode: 207962
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STW11NK90Z STW11NK90Z STMicroelectronics stw11nk90z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; Idm: 36.8A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 36.8A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.63 EUR
10+9.03 EUR
12+7.15 EUR
30+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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STW11NK90Z STW11NK90Z STMicroelectronics en.cd00100569.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.85 EUR
23+7.43 EUR
100+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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STW11NK90Z STW11NK90Z STMicroelectronics en.cd00100569.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1850 Stücke:
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23+7.65 EUR
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STW11NK90Z STW11NK90Z STMicroelectronics en.CD00100569.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 9.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.79 EUR
30+8.57 EUR
120+7.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STW11NK90Z STW11NK90Z STMicroelectronics en.CD00100569.pdf MOSFETs N Ch 900V Zener SuperMESH 9.2A
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.97 EUR
10+8.69 EUR
100+7.28 EUR
600+6.26 EUR
1200+6.18 EUR
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STW11NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; Idm: 36.8A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 36.8A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
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Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
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Ladegerät für Li-Po (TP4056 1A Lipo Battery Charging Board Type C)
Produktcode: 165115
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Ladegerät für Li-Po (TP4056 1A Lipo Battery Charging Board Type C)
Netzteile und Ladegeräte > Зарядні модулі, балансири та BMS
Beschreibung: Ladegerät für Li-Po mit Schutz 18650. Anschluss': type "C. Strom: 1A
4,5...5,5 VDC
4,2 V
Maximaler Strom: 1 A
27x17x4 mm
Anzahl der Zellen: 1
Gerätetyp: Lademodul
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 6000 St.
  • 6000 St. - erwartet 25.07.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UC3844BN
Produktcode: 34525
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description DOC000152425.pdf
UC3844BN
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Funktion und Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung eing., V: 16...36 V
I-ausg., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Temperaturbereich: -40...+150°C
verfügbar: 223 St.
  • 9 St. - stock Köln
  • 214 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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