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STW13N80K5

STW13N80K5

stb13n80k5-datasheet.pdf
Produktcode: 151535
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 В
Drain-Strom Idd, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,45 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 870/29
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STW13N80K5 STW13N80K5 STMicroelectronics stb13n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 480 Stücke:
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STW13N80K5 STW13N80K5 STMicroelectronics stb13n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW13N80K5 STW13N80K5 STMicroelectronics STB13N80K5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 66 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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STW13N80K5 STW13N80K5 STMicroelectronics en.DM00079143.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
auf Bestellung 479 Stücke:
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STW13N80K5 STW13N80K5 STMICROELECTRONICS 2371877.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
auf Bestellung 425 Stücke:
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18+14.42 EUR
25+9.45 EUR
100+6.38 EUR
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STW13N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW13N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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STW13N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
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STW13N80K5
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
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25+9.45 EUR
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Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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Toleranz und TKR: ±5%
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U Betrieb: 500 V
Abmessungen: 11x4mm; D_Anschl.=0.75mm
Typ: Kohleschicht, miniatur
Temperatur: -55...+125°C
auf Bestellung: 418 St.
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AnzahlPrivatkunde
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1000+0.052 EUR
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Gehäuse: DIP-7
Versorgungsspannung Vcc, V: 6...700 V
Ausgangsstrom Iausg., mA: 578 mA
Oszillatorfrequenz Fosc, kHz: 66 kHz
Kanalzahl: 1
Betriebstemperatur, °C: -40…+150°С
auf Bestellung: 149 St.
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AnzahlPrivatkunde
1+3.45 EUR
10+2.98 EUR
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Gehäuse: SOT-23
Stabilisierungsspannung Vz, V: 10 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: 6,4 mV/K
verfügbar: 120 St.
  • 120 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1631 St.
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100+0.039 EUR
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Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
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Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
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10+1.73 EUR
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auf Bestellung: 974 St.
  • 974 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.12 EUR
100+0.063 EUR
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10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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