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STW13N80K5

STW13N80K5

stb13n80k5-datasheet.pdf
Produktcode: 151535
Hersteller: ST
Uds,V: 800 V
Idd,A: 12 А
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 870/29
JHGF: THT
auf Bestellung 13 Stück:
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STW13N80K5 STW13N80K5 Hersteller : STMicroelectronics stb13n80k5-1850167.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
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100+4.14 EUR
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STW13N80K5 STW13N80K5 Hersteller : STMicroelectronics STB13N80K5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMESH5™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
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Anzahl Preis
7+10.21 EUR
11+6.51 EUR
25+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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STW13N80K5 STW13N80K5 Hersteller : STMicroelectronics STB13N80K5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMESH5™
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STW13N80K5 STW13N80K5 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2371877.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
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STW13N80K5 STW13N80K5 Hersteller : STMicroelectronics 733191939912980dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW13N80K5 STW13N80K5 Hersteller : STMicroelectronics 733191939912980dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW13N80K5 STW13N80K5 Hersteller : STMicroelectronics 733191939912980dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW13N80K5 en.DM00079143.pdf
auf Bestellung 548 Stücke:
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STW13N80K5 STW13N80K5 Hersteller : STMicroelectronics 733191939912980dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW13N80K5 Hersteller : STMicroelectronics 733191939912980dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW13N80K5 STW13N80K5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00079143.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
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UC3843BD1 (SO-8)
Produktcode: 14241
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UC2842B,3B,4B,5B,3842B,3B,4B,5B.pdf
UC3843BD1 (SO-8)
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 250
Temperaturbereich: -65…+150°C
auf Bestellung 80 Stück:
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erwartet 400 Stück:
400 Stück - erwartet 03.05.2025
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Изопропиловый спирт очищенный 99.9% 1000мл
Produktcode: 169565
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Изопропиловый спирт очищенный 99.9% 1000мл
Chemie > Reinigungsmittel
Опис: Ізопропіловий спирт очищений 99.9%, упаковка: каністра пластикова 1 літр
Призначення: Ізопропіловий спирт як очищувач застосовується в електротехніці, електроніці, металургії тощо. Добре розчиняє натуральні і деякі синтетичні смоли, етилцелюлозу, полівініл-бутірал, більшість масел. Застосовується як дезінфікуючий засіб. Замерзає при дуже низьких температурах що дозволяє застосовувати його в автомобільній промисловості.
Упаковка: 1л
Тип: Спирт
auf Bestellung 197 Stück:
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47uF 50V EXR 6,3x11mm (EXR470M50B-Hitano)
Produktcode: 2430
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EXR_080421.pdf
47uF 50V EXR 6,3x11mm (EXR470M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 20269 Stück
986 Stück - stock Köln
19283 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 300 Stück
Anzahl Preis
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10+0.22 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.03 EUR
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330uF 35V EXR 10x16mm (EXR331M35B-Hitano)
Produktcode: 2425
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EXR_080421.pdf
330uF 35V EXR 10x16mm (EXR331M35B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 330uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x16mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 2 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 5000 Stück:
5000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.20 EUR
10+0.16 EUR
100+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
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4N35
Produktcode: 2416
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4N35-L.pdf
4N35
Hersteller: LTN
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-6
Typ: Fototransistor Optokoppler
U-isol, kV: 3.5
I-ein/ I-ausg, mA: 60/100
U ausg, V: 30
Ton/Toff, µs: 7/7
Роб.темп.,°С: -55…+100°C
№ 8: 8541 10 00 90
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
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