Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > STW13N80K5
STW13N80K5

STW13N80K5

stb13n80k5-datasheet.pdf
Produktcode: 151535
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 800 V
Idd,A: 12 А
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 870/29
JHGF: THT
auf Bestellung 22 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote STW13N80K5 nach Preis ab 2.37 EUR bis 7.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STW13N80K5 STW13N80K5 Hersteller : STMicroelectronics stb13n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
44+3.3 EUR
48+2.92 EUR
50+2.69 EUR
60+2.56 EUR
120+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13N80K5 STW13N80K5 Hersteller : STMicroelectronics stb13n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13N80K5 STW13N80K5 Hersteller : STMicroelectronics STB13N80K5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.92 EUR
18+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13N80K5 STW13N80K5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00079143.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.5 EUR
10+3.96 EUR
100+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13N80K5 STW13N80K5 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2371877.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13N80K5 en.DM00079143.pdf
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13N80K5 STW13N80K5 Hersteller : STMicroelectronics stb13n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW13N80K5 STW13N80K5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00079143.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

0,22 Ohm 5% 1W выв. (CR100JTB-0R22-Hitano)
Produktcode: 182991
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

CR_20140904-datasheet.pdf
0,22 Ohm 5% 1W выв. (CR100JTB-0R22-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 1W
Resistenz: 0,22 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 1 W
U Betriebs.,V: 500 V
Abmessungen: 11x4 мм; Dвив=0,75 mm
Typ: вугільні мініатюрні
Температура: -55...+125°C
auf Bestellung 588 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1,5 Ohm 5% 2W Ausfuhr. (MOR200SJTB-1R5-Hitano)
Produktcode: 33125
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

MOR_080911.pdf
1,5 Ohm 5% 2W Ausfuhr. (MOR200SJTB-1R5-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Resistenz: 1,5 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 2W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 11x4,0mm, DAusfuhr.=0,76mm
Typ: Metalloxid miniatur
-55...+125°C
№ 7: 8533210000
auf Bestellung 187 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.035 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX84-C10
Produktcode: 28998
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

BZX84.pdf
BZX84-C10
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-23
Ustab.,V: 10
Istab.direkt,A: 5mA
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 6.4mV/K
verfügbar: 2131 St.
120 St. - stock Köln
2011 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.028 EUR
1000+0.027 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1730 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
330nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206Y334K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 18014
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

X7R_X5R.pdf
330nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206Y334K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 330nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000
auf Bestellung 1820 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.1 EUR
100+0.052 EUR
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH