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STW14NK50Z

STW14NK50Z

STW14NK50Z.pdf
Produktcode: 3300
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.38
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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Technische Details STW14NK50Z ST

  • MOSFET, N, TO-247
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:500V
  • Cont Current Id:14A
  • On State Resistance:0.38ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3.75V
  • Case Style:TO-247
  • Termination Type:Through Hole
  • Alternate Case Style:SOT-249
  • Max Voltage Vds:500V
  • No. of Pins:3
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.38ohm
  • Power Dissipation Pd:150W
  • Pulse Current Idm:48A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Transistor Case Style:TO-247

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STW14NK50Z STW14NK50Z Hersteller : STMicroelectronics stw14nk50z.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW14NK50Z STW14NK50Z Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002817.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
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STW14NK50Z STW14NK50Z Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0011272758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW14NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.34 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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STW14NK50Z STW14NK50Z Hersteller : STMicroelectronics stw14nk50z.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Дротяний припій, 1mm, 100g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø1.0, 100g (WG-01X-01-1-100-6 / LC60-1.00/0.1)
Produktcode: 15924
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description cynel.pdf
Дротяний припій, 1mm, 100g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø1.0, 100g (WG-01X-01-1-100-6 / LC60-1.00/0.1)
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Hersteller: CYNEL
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Lötmaterial
Beschreibung: Draht Lötmaterial Sn-60% Pb-40% 1,00mm 0,1kg.
Gewicht: 100g.
Durchschnitt: 1mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
№ 6: Свинцевий
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0,91 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R91)
Produktcode: 15062
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SQP_080911.pdf
0,91 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R91)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Resistenz: 0,91 Ohm
Leistung: 5W
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
U Betriebs.,V: 750V
Abmessungen, mm: 22,0x10,0x9,5; dAusfuhr.=0,8
Typ: Ausfuhrungs-, Zement-, Draht-
verfügbar: 342 St.
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2,7 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-2K7-Hitano)
Produktcode: 13769
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CR-S_080911.pdf
2,7 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-2K7-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 2,7 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 13687 St.
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100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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STP4NK60ZFP
Produktcode: 3364
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description STP4NK60ZFP_.pdf
STP4NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 2
Ciss, pF/Qg, nC: 510/18.8
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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STP14NK50ZFP
Produktcode: 2275
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description STP14NK50ZFP.pdf
STP14NK50ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220isolated
Uds,V: 500
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.38
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 105 St.
5 St. - stock Köln
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