STW18NK80Z
Produktcode: 1659
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Montage: THT
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Technische Details STW18NK80Z ST
- MOSFET N CH 800V 10.5A TO-247
- Transistor Type:Power MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Typ Voltage Vds:800V
- Cont Current Id:10A
- On State Resistance:340mohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:3.75V
- Case Style:TO-247
- Termination Type:Through Hole
- Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
Weitere Produktangebote STW18NK80Z
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| STW18NK80Z | STM |
 N-кан. MOSFET, 800V, 0.38 Ом, 17A, TO-247 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
STW18NK80Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 19A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
STW18NK80Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 18 Amp |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STW18NK80Z |
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Hersteller: STM
N-кан. MOSFET, 800V, 0.38 Ом, 17A, TO-247 Транзистори
N-кан. MOSFET, 800V, 0.38 Ом, 17A, TO-247 Транзистори
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| STW18NK80Z |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 19A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 800V 19A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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| STW18NK80Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 18 Amp
MOSFETs N-Ch 800 Volt 18 Amp
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