STW20NK50Z
Produktcode: 2710
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Lieblingsprodukt
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2600/95
Montage: THT
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote STW20NK50Z nach Preis ab 2.13 EUR bis 10.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STW20NK50Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW20NK50Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 14150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW20NK50Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 14153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW20NK50Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.6A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 538 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW20NK50Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW20NK50Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH |
auf Bestellung 1530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW20NK50Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW20NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 17 A, 0.23 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 190W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STW productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm |
auf Bestellung 904 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW20NK50Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 564 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STW20NK50Z | ST |
N-MOSFET 17A 500V 190W STW20NK50Z TSTW20NK50zAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STW20NK50Z |
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auf Bestellung 922 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STW20NK50Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 67+ | 2.67 EUR |
| STW20NK50Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 14150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 4.58 EUR |
| 46+ | 3.83 EUR |
| 120+ | 3.71 EUR |
| 510+ | 3.17 EUR |
| 1020+ | 2.83 EUR |
| 2010+ | 2.76 EUR |
| STW20NK50Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 14153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 4.62 EUR |
| 45+ | 3.77 EUR |
| 120+ | 3.59 EUR |
| 510+ | 3.01 EUR |
| 1020+ | 2.63 EUR |
| 2010+ | 2.5 EUR |
| STW20NK50Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 4.71 EUR |
| 29+ | 2.98 EUR |
| 35+ | 2.43 EUR |
| 60+ | 2.33 EUR |
| 90+ | 2.28 EUR |
| 120+ | 2.25 EUR |
| 510+ | 2.13 EUR |
| STW20NK50Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 32+ | 5.51 EUR |
| 120+ | 4.4 EUR |
| 510+ | 3.59 EUR |
| 1020+ | 3.22 EUR |
| 2010+ | 2.93 EUR |
| STW20NK50Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.09 EUR |
| 10+ | 5.68 EUR |
| 100+ | 4.69 EUR |
| 600+ | 3.97 EUR |
| 1200+ | 3.81 EUR |
| 3000+ | 3.5 EUR |
| 5400+ | 3.33 EUR |
| STW20NK50Z |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW20NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 17 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STW20NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 17 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 10.42 EUR |
| 40+ | 5.84 EUR |
| 100+ | 4.45 EUR |
| 500+ | 4.12 EUR |
| STW20NK50Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 10.94 EUR |
| 30+ | 6.18 EUR |
| 120+ | 5.12 EUR |
| 510+ | 4.36 EUR |
| STW20NK50Z |
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auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 7.14 EUR |
Mit diesem Produkt kaufen
| 24LC32/P Produktcode: 3075
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Microchip
IC > IC Speicher
Gehäuse: DIP-8
Funktionsbeschreibung: Serielles EEPROM I2C Smart 32K, 2,5 V
Versorgung, V: 2,7...5,5 V
T°C: 0...+70°C
Speichertyp: EEPROM
Speicherkapazität: 32 kbit
Schnittstelle: I2C
IC > IC Speicher
Gehäuse: DIP-8
Funktionsbeschreibung: Serielles EEPROM I2C Smart 32K, 2,5 V
Versorgung, V: 2,7...5,5 V
T°C: 0...+70°C
Speichertyp: EEPROM
Speicherkapazität: 32 kbit
Schnittstelle: I2C
auf Bestellung 13 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.68 EUR |
| 10+ | 0.61 EUR |
| 100+ | 0.46 EUR |
| 100uF 160V ECR 16x26mm (ECR101M2CB-Hitano) (Elektrolytkondensator) Produktcode: 2978
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 160 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -25...+85°C
Abmessungen: 16x26 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 160 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -25...+85°C
Abmessungen: 16x26 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung 166 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.5 EUR |
| 10+ | 0.43 EUR |
| 100+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| 22uF 50V ECR 5x11mm (ECR220M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator) Produktcode: 2959
4
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 5355 St.
- 231 St. - stock Köln
- 5124 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.048 EUR |
| 10+ | 0.036 EUR |
| 100+ | 0.017 EUR |
| 1000+ | 0.014 EUR |
| BD912 Produktcode: 2464
1
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Grenzfrequenz fT, MHz: 3 MHz
Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 15 A
Stromverstärkung h21, max: 250
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Grenzfrequenz fT, MHz: 3 MHz
Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 15 A
Stromverstärkung h21, max: 250
auf Bestellung 206 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.48 EUR |
| 10+ | 0.45 EUR |
| BDW94C (TO-220, ST) Produktcode: 1600
1
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 12 A
Stromverstärkung h21, max: 20000
Bemerkung: Darlington
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 12 A
Stromverstärkung h21, max: 20000
Bemerkung: Darlington
auf Bestellung 211 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.64 EUR |
| 10+ | 0.5 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |










