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STW20NK50Z

STW20NK50Z

en.DM00052344.pdf
Produktcode: 2710
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.27
Ciss, pF/Qg, nC: 2600/95
JHGF: THT
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STW20NK50Z STW20NK50Z Hersteller : STMicroelectronics dm0005234.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW20NK50Z STW20NK50Z Hersteller : STMicroelectronics en.DM00052344.pdf MOSFETs N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
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STW20NK50Z STW20NK50Z Hersteller : STMicroelectronics en.DM00052344.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
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STW20NK50Z STW20NK50Z Hersteller : STMicroelectronics dm0005234.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW20NK50Z STW20NK50Z Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS35366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW20NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 17 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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STW20NK50Z Hersteller : STMicroelectronics en.DM00052344.pdf STW20NK50Z THT N channel transistors
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STW20NK50Z Hersteller : ST en.DM00052344.pdf N-MOSFET 17A 500V 190W STW20NK50Z TSTW20NK50z
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BT169G
Produktcode: 1080
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BT169G
Hersteller: NXP
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-92
U,zu,V: 600V
I-auf,mA: 0,2mA
Imax,A: 0,8A
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IR2101PBF
Produktcode: 22631
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description ir2101.pdf
IR2101PBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Uc, V: 600
I o +/-, A: 0,13/0,27
V out, V: 10-20
T on/T off, ns: 160/150
Bemerkung: Treiber für starke Feld- Transistore
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
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TL494CN
Produktcode: 36468
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494 TL494-D.pdf
TL494CN
Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 7...40V
I-ausg., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 419 Stück
14 Stück - stock Köln
405 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 20 Stück
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10+0.26 EUR
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FEP30JP-E3/45
Produktcode: 113352
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fep30-datasheet.pdf
FEP30JP-E3/45
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-247AD
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 30 A
Trr, ns: 35 ns
auf Bestellung 14 Stück:
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Вентилятор 80x80x25, 12V, (EF80251S1-G99-A)
Produktcode: 144659
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ef80251s1-1000u-g99.pdf
Вентилятор 80x80x25, 12V, (EF80251S1-G99-A)
Hersteller: Sunon
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lüfter und Zubehör
Abmessungen, mm: 80x80x25 mm
Spannung, V: 12 DC
Luftvolumen, m3/Stunde: 69,29 м³/год.
Leistung, Watt: 1,66 Вт
Lärm, dB: 33 дБ
Rotationsgeschwindigkeit, r/min: 3200 об/хв
Beschreibung: Підшипник ковзання "втулка"
auf Bestellung 181 Stück:
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