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STW20NK50Z

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en.DM00052344.pdf
Produktcode: 2710
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.27
Ciss, pF/Qg, nC: 2600/95
JHGF: THT
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STW20NK50Z STW20NK50Z Hersteller : STMicroelectronics dm0005234.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW20NK50Z STW20NK50Z Hersteller : STMicroelectronics dm0005234.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW20NK50Z STW20NK50Z Hersteller : STMicroelectronics STW20NK50Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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STW20NK50Z STW20NK50Z Hersteller : STMicroelectronics en.DM00052344.pdf MOSFETs N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
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STW20NK50Z STW20NK50Z Hersteller : STMicroelectronics en.DM00052344.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
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30+4.03 EUR
120+3.32 EUR
510+2.81 EUR
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STW20NK50Z STW20NK50Z Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS35366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW20NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 17 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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STW20NK50Z Hersteller : ST en.DM00052344.pdf N-MOSFET 17A 500V 190W STW20NK50Z TSTW20NK50z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Mindestbestellmenge: 10
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 160V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 16x26mm
Lebensdauer: 16х26mm
№ 8: 2000 годин
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22uF 50V ECR 5x11mm (ECR220M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
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5144 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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BD912
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description BD909,910,911,912.pdf
BD912
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 15
h21,max: 250
auf Bestellung 442 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.38 EUR
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BDW94C
Produktcode: 1600
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BDW94C
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 12
h21,max: 20000
Bem.: DARLINGT
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BT169G
Produktcode: 1080
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BT169G
Hersteller: NXP
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-92
U,zu,V: 600V
I-auf,mA: 0,2mA
Imax,A: 0,8A
auf Bestellung 216 St.:
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