Weitere Produktangebote STW20NM50FD nach Preis ab 4.82 EUR bis 16.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STW20NM50FD | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 4781 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW20NM50FD | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 4780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW20NM50FD | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 214W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW20NM50FD | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp |
auf Bestellung 433 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW20NM50FD | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW20NM50FD | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM50FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 214W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm |
auf Bestellung 378 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| STW20NM50FD | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 250mOhm; 20A; 214W; -65°C ~ 150°C; STW20NM50FD TSTW20NM50FDAnzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STW20NM50FD |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 6.15 EUR |
| 31+ | 5.58 EUR |
| 120+ | 5.32 EUR |
| 510+ | 5.07 EUR |
| 1020+ | 4.82 EUR |
| STW20NM50FD |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 6.18 EUR |
| 31+ | 5.72 EUR |
| 120+ | 5.55 EUR |
| 510+ | 5.37 EUR |
| 1020+ | 5.24 EUR |
| STW20NM50FD |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 8.66 EUR |
| 14+ | 6.41 EUR |
| 30+ | 5.82 EUR |
| STW20NM50FD |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 15.57 EUR |
| 10+ | 9.97 EUR |
| 100+ | 8.19 EUR |
| 600+ | 8.15 EUR |
| STW20NM50FD |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 16.23 EUR |
| 30+ | 9.51 EUR |
| 120+ | 8.03 EUR |
| 510+ | 7.21 EUR |
| STW20NM50FD |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM50FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM50FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STW20NM50FD |
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Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 250mOhm; 20A; 214W; -65°C ~ 150°C; STW20NM50FD TSTW20NM50FD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 250mOhm; 20A; 214W; -65°C ~ 150°C; STW20NM50FD TSTW20NM50FD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 11.19 EUR |






