Weitere Produktangebote STW20NM50FD nach Preis ab 4.79 EUR bis 13.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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STW20NM50FD | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 4801 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW20NM50FD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 4801 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW20NM50FD | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 214W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW20NM50FD | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp |
auf Bestellung 441 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW20NM50FD | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW20NM50FD | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM50FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 394 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STW20NM50FD | Hersteller : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 250mOhm; 20A; 214W; -65°C ~ 150°C; STW20NM50FD TSTW20NM50FD Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW20NM50FD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STW20NM50FD | Hersteller : STM |
N-кан. MOSFET 500V, 20A, 0.22Ом, 214Вт, TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |