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STW20NM60

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Produktcode: 161796
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STW20NM60 STW20NM60 STMicroelectronics en.cd00002505.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.12 EUR
60+3.69 EUR
120+3.51 EUR
510+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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STW20NM60 STW20NM60 STMicroelectronics en.cd00002505.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4960 Stücke:
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41+4.21 EUR
60+3.83 EUR
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STW20NM60 STW20NM60 STMicroelectronics STx20NM60x-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.69 EUR
13+6.56 EUR
20+5.71 EUR
30+5.3 EUR
90+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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STW20NM60 STW20NM60 STMicroelectronics en.CD00002505.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.66 EUR
10+8.98 EUR
100+7.79 EUR
600+6.43 EUR
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STW20NM60 STW20NM60 STMICROELECTRONICS SGSTS27712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 89 Stücke:
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15+17.67 EUR
22+11.02 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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STW20NM60 en.CD00002505.pdf STW20NM60 Транзисторы MOS FET
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STW20NM60
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW20NM60
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
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100+7.79 EUR
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STW20NM60
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 89 Stücke:
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22+11.02 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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STW20NM60 en.CD00002505.pdf
STW20NM60 Транзисторы MOS FET
auf Bestellung 11 Stücke:
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