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STW20NM60FD

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Hersteller: ST
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 290mOhm; 20A; 214W; -65°C ~ 150°C; STW20NM60FD STMicroelectronics TSTW20NM60fd
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Technische Details STW20NM60FD ST

Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm.

Weitere Produktangebote STW20NM60FD nach Preis ab 3.06 EUR bis 15.49 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STW20NM60FD STW20NM60FD STMicroelectronics cd0000336.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
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STW20NM60FD STW20NM60FD STMicroelectronics cd0000336.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
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STW20NM60FD STW20NM60FD STMicroelectronics STx20NM60xD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.83 EUR
16+5.62 EUR
30+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STW20NM60FD STW20NM60FD STMicroelectronics en.CD00003368.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
auf Bestellung 750 Stücke:
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1+13.83 EUR
10+7.81 EUR
100+5.76 EUR
600+5.74 EUR
1200+5.62 EUR
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STW20NM60FD STW20NM60FD STMicroelectronics en.CD00003368.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.14 EUR
30+8.14 EUR
60+7.41 EUR
120+6.82 EUR
510+5.85 EUR
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STW20NM60FD STW20NM60FD STMICROELECTRONICS SGSTS31108-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.49 EUR
28+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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STW20NM60FD cd0000336.pdf
STW20NM60FD
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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STW20NM60FD cd0000336.pdf
STW20NM60FD
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
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57+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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STW20NM60FD STx20NM60xD-DTE.pdf
STW20NM60FD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 44 Stücke:
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16+5.62 EUR
30+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STW20NM60FD en.CD00003368.pdf
STW20NM60FD
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+13.83 EUR
10+7.81 EUR
100+5.76 EUR
600+5.74 EUR
1200+5.62 EUR
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STW20NM60FD
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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30+8.14 EUR
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120+6.82 EUR
510+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STW20NM60FD
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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