STW28N60M2

STW28N60M2 STMicroelectronics


stb28n60m2-1850199.pdf Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
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Technische Details STW28N60M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 170, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).

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STW28N60M2 STW28N60M2 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2310309.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
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STW28N60M2 STW28N60M2 Hersteller : STMicroelectronics 39701715991589376dm00095328.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW28N60M2
Produktcode: 123683
en.DM00095328.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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STW28N60M2 STW28N60M2 Hersteller : STMicroelectronics 39701715991589376dm00095328.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW28N60M2 Hersteller : STMicroelectronics 39701715991589376dm00095328.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW28N60M2 STW28N60M2 Hersteller : STMicroelectronics STx28N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW28N60M2 STW28N60M2 Hersteller : STMicroelectronics 39701715991589376dm00095328.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW28N60M2 STW28N60M2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00095328.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
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STW28N60M2 STW28N60M2 Hersteller : STMicroelectronics STx28N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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