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STW28NM50N

STW28NM50N STMicroelectronics

400920088103406cd002.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details STW28NM50N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V.

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STW28NM50N STW28NM50N Hersteller : STMicroelectronics en.CD00271786.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
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STW28NM50N STW28NM50N Hersteller : STMicroelectronics en.CD00271786.pdf MOSFETs N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
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STW28NM50N Hersteller : ST en.CD00271786.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 158mOhm; 21A; 150W; -55°C ~ 150°C; STW28NM50N TSTW28NM50N
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STW28NM50N Hersteller : STMicroelectronics en.CD00271786.pdf STW28NM50N THT N channel transistors
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Produktcode: 155180
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