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STW28NM50N

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Produktcode: 155180
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Transistoren > MOSFET N-CH

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STW28NM50N STW28NM50N STMicroelectronics stb28nm50n.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW28NM50N STW28NM50N STMicroelectronics 400920088103406cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 48 Stücke:
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22+8.21 EUR
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STW28NM50N STW28NM50N STMicroelectronics stb28nm50n.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW28NM50N STW28NM50N STMicroelectronics stb28nm50n.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW28NM50N STW28NM50N STMicroelectronics STx28NM50N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 18 Stücke:
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9+10.28 EUR
12+7.21 EUR
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STW28NM50N STW28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf MOSFETs N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
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1+13.97 EUR
10+8.71 EUR
100+7.64 EUR
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STW28NM50N STW28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
auf Bestellung 356 Stücke:
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2+16.28 EUR
30+9.53 EUR
120+8.37 EUR
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
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Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
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