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STW30N80K5

STW30N80K5 STMicroelectronics

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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details STW30N80K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW30N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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STW30N80K5 STW30N80K5 STMicroelectronics en.DM00246893.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ., 24 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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STW30N80K5 STW30N80K5 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002027218-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STW30N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
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Verlustleistung: 250W
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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