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STW34NM60N

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Produktcode: 55857
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STW34NM60N STW34NM60N STMicroelectronics stw34nm60n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.79 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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STW34NM60N STW34NM60N STMicroelectronics stw34nm60n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 637 Stücke:
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19+9.33 EUR
30+8.9 EUR
120+8.57 EUR
510+7.85 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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STW34NM60N STW34NM60N STMicroelectronics stw34nm60n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.23 EUR
30+9.95 EUR
120+9.71 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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STW34NM60N STW34NM60N STMicroelectronics stw34nm60n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.25 EUR
30+9.73 EUR
120+9.35 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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STW34NM60N STW34NM60N STMicroelectronics STW34NM60N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+10.57 EUR
10+8.52 EUR
30+7.57 EUR
90+6.81 EUR
120+6.64 EUR
150+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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STW34NM60N STW34NM60N STMicroelectronics en.DM00171985.pdf MOSFETs N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.7 EUR
10+12.29 EUR
100+10.58 EUR
1200+10.5 EUR
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STW34NM60N STW34NM60N STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000772792-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW34NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.092 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.11 EUR
19+12.74 EUR
100+10.6 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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STW34NM60N STW34NM60N STMicroelectronics en.DM00171985.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.03 EUR
30+12.52 EUR
120+10.65 EUR
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STW34NM60N stw34nm60n.pdf
STW34NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 637 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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510+7.85 EUR
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Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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10+12.29 EUR
100+10.58 EUR
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STW34NM60N
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW34NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.092 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
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Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
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