
STW36NM60ND STMicroelectronics
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Anzahl | Preis |
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1+ | 8.54 EUR |
10+ | 7.81 EUR |
100+ | 7.36 EUR |
250+ | 7.34 EUR |
600+ | 7.16 EUR |
1200+ | 7.02 EUR |
3000+ | 6.92 EUR |
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Technische Details STW36NM60ND STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW36NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.097 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 190W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FDmesh II, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STW36NM60ND | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 190W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FDmesh II productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
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STW36NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
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STW36NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
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STW36NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
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