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STW36NM60ND

STW36NM60ND STMicroelectronics

sgsts50125_1-2282663.pdf Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET Auto-grade N-CH 600V 0.097Ohm typ 29A
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Technische Details STW36NM60ND STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW36NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.097 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 190W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FDmesh II, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).

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STW36NM60ND STW36NM60ND Hersteller : STMICROELECTRONICS STx36NM60ND_DS.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW36NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.097 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
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STW36NM60ND STW36NM60ND Hersteller : STMicroelectronics STx36NM60ND_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247
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