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STW38N65M5

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Transistoren > MOSFET N-CH

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STW38N65M5 STW38N65M5 STMicroelectronics 12367dm00049157.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 126 Stücke:
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27+6.53 EUR
30+5.68 EUR
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STW38N65M5 STW38N65M5 STMicroelectronics 12367dm00049157.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW38N65M5 STW38N65M5 STMicroelectronics en.DM00049157.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
auf Bestellung 1718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.75 EUR
10+8.02 EUR
100+7.03 EUR
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STW38N65M5 STW38N65M5 STMicroelectronics en.DM00049157.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
auf Bestellung 45 Stücke:
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2+15.04 EUR
30+8.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STW38N65M5 STW38N65M5 STMICROELECTRONICS 2362749.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
auf Bestellung 101 Stücke:
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11+23.74 EUR
15+15.54 EUR
17+12.91 EUR
50+11.46 EUR
100+10.52 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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STW38N65M5 12367dm00049157.pdf
STW38N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW38N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
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STW38N65M5
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
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SS110
Produktcode: 211560
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SS110
Hersteller: Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA-W
Sperrspannung Vrrm, V: 100 В
Durchlassstrom (per leg) If, A: 1 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,8 В
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 30 А
auf Bestellung: 170 St.
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AnzahlPrivatkunde
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10+0.063 EUR
100+0.046 EUR
1000+0.037 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Zylinderkopfschraube M3.5x16mm (Klasse 8.8, Verzinkung, Innensechskant)
Produktcode: 189804
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Zylinderkopfschraube M3.5x16mm (Klasse 8.8, Verzinkung, Innensechskant)
Verstärkungs- und Metallstangen > Schrauben
Beschreibung: Zylinderkopfschraube mit Innensechskant 3mm. Festigkeitsklasse: 8.8. Beschichtung: Zink.
Länge, mm: 16
Gewinde: M3,5
Material: Verzinkter Stahl
auf Bestellung: 591 St.
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AnzahlPrivatkunde
1+0.058 EUR
10+0.043 EUR
100+0.039 EUR
1000+0.035 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAW56
Produktcode: 172131
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baw56-nexperia.pdf
BAW56
Hersteller: Nexperia
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOT-23
Urev., V: 90 В
Iausr., A: 0,215 А
Beschreibung: Doppel, gemeinsame Anode, schnell
Montage: SMD
Spannungsabfall Vf: 1,25 В
auf Bestellung: 238 St.
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4,7uF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B475KBHNNNE – Samsung)
Produktcode: 67047
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
4,7uF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B475KBHNNNE – Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 4,7 µF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
erwartet: 400 St.
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auf Bestellung: 264 St.
  • 264 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.15 EUR
100+0.11 EUR
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1nF 2000V X7R 10% 1206 3k/reel (1206B102K202N3-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Produktcode: 11455
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1nF 2000V X7R 10% 1206 3k/reel (1206B102K202N3-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 1 nF
Nennspannung: 2000 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
UKTZED: 8532 24 00 00
erwartet: 3000 St.
  • 3000 St. - erwartet
auf Bestellung: 1845 St.
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AnzahlPrivatkunde
10+0.1 EUR
100+0.058 EUR
1000+0.051 EUR
10000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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