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STW48N60M2

STW48N60M2 STMicroelectronics

en.dm00121009.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details STW48N60M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW48N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STW48N60M2 STW48N60M2 STMicroelectronics en.dm00121009.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW48N60M2 STW48N60M2 STMicroelectronics en.dm00121009.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW48N60M2 STW48N60M2 STMicroelectronics stw48n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.81 EUR
14+6.34 EUR
15+5.97 EUR
17+5.31 EUR
30+4.27 EUR
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STW48N60M2 STW48N60M2 STMicroelectronics en.dm00121009.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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31+5.58 EUR
100+4.58 EUR
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STW48N60M2 STW48N60M2 STMicroelectronics en.dm00121009.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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18+9.64 EUR
31+5.45 EUR
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STW48N60M2 STW48N60M2 STMicroelectronics en.DM00121009.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
auf Bestellung 374 Stücke:
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1+10.94 EUR
10+5.62 EUR
100+5.13 EUR
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STW48N60M2 STW48N60M2 STMicroelectronics en.DM00121009.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 100 V
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.13 EUR
30+6.27 EUR
60+5.7 EUR
120+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STW48N60M2 STW48N60M2 STMICROELECTRONICS 2371914.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW48N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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14+16.95 EUR
16+13.76 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STW48N60M2
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Trans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW48N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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14+6.34 EUR
15+5.97 EUR
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STW48N60M2
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Trans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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100+4.58 EUR
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Trans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
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31+5.45 EUR
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MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 100 V
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2+11.13 EUR
30+6.27 EUR
60+5.7 EUR
120+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STW48N60M2
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Description: STMICROELECTRONICS - STW48N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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