STW4N150 STMicroelectronics
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Technische Details STW4N150 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STW4N150 nach Preis ab 4.12 EUR bis 12.36 EUR
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STW4N150 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW4N150 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO247 Case: TO247 Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: PowerMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW4N150 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO247 Case: TO247 Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: PowerMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT |
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STW4N150 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW4N150 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW4N150 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW4N150 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 1500 V PowerMesh |
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STW4N150 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
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STW4N150 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW4N150 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STW4N150 | Hersteller : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 1500V; 30V; 7Ohm; 4A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW4N150 TSTW4N150 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STW4N150 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW4N150 Produktcode: 62477
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Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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