STW50NB20
Produktcode: 1976
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Lieblingsprodukt
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Montage: THT
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| STW50NB20 | STM |
Транзистори |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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STW50NB20 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V |
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Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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STW50NB20 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 200 Volt 50 Amp |
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| STW50NB20 |
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Hersteller: STM
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| STW50NB20 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
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MOSFETs N-Ch 200 Volt 50 Amp
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