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STW55NM60ND

STW55NM60ND STMicroelectronics

cd0017681.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 51A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details STW55NM60ND STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 350W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 50 V.

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STW55NM60ND STW55NM60ND Hersteller : STMicroelectronics cd0017681.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 51A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW55NM60ND STW55NM60ND Hersteller : STMicroelectronics stpower-n-channel-mosfets-gt-350-v-to-700-v.html Description: MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 50 V
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STW55NM60ND STW55NM60ND Hersteller : STMicroelectronics sgsts36445_1-2282454.pdf MOSFET N-channel 600 V FDMesh
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