STW56N60DM2

STW56N60DM2 STMicroelectronics


STW56N60DM2.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V
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Technische Details STW56N60DM2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW56N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STW56N60DM2 STW56N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics stw56n60dm2-1851989.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET
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STW56N60DM2 STW56N60DM2 Hersteller : STMICROELECTRONICS STW56N60DM2.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW56N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STW56N60DM2 STW56N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics 15065490338993116.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW56N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics 15065490338993116.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW56N60DM2 STW56N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics STW56N60DM2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 31A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW56N60DM2 STW56N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics 15065490338993116.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW56N60DM2 STW56N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics STW56N60DM2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 31A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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