STW5NK100Z STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details STW5NK100Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW5NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.5 A, 3.7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STW5NK100Z nach Preis ab 4.09 EUR bis 10.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STW5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH |
auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STW5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 1974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW5NK100Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW5NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.5 A, 3.7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STW5NK100Z | Hersteller : ST |
N-MOSFET; 1000V; 30V; 3,7Ohm; 3,5A; 125W; -55°C ~ 150°C; STW5NK100Z TSTW5NK100Z Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW5NK100Z Produktcode: 86647 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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STW5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W Mounting: THT Case: TO247 Technology: SuperMESH3™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2.2A On-state resistance: 3.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STW5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STW5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W Mounting: THT Case: TO247 Technology: SuperMESH3™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2.2A On-state resistance: 3.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: tube |
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