STW62N65M5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 29.07 EUR |
| 30+ | 23.54 EUR |
| 120+ | 22.16 EUR |
| 510+ | 20.08 EUR |
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Technische Details STW62N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW62N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm.
Weitere Produktangebote STW62N65M5 nach Preis ab 20.23 EUR bis 29.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STW62N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5 |
auf Bestellung 594 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STW62N65M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW62N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm |
auf Bestellung 1134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW62N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 46A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STW62N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 46A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STW62N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 46A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STW62N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 46A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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