STW69N65M5 STMicroelectronics
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Technische Details STW69N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW69N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 58 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 330W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm.
Weitere Produktangebote STW69N65M5 nach Preis ab 12.82 EUR bis 38.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STW69N65M5 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW69N65M5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW69N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS |
auf Bestellung 646 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW69N65M5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 58A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V |
auf Bestellung 431 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW69N65M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW69N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 58 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm |
auf Bestellung 447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW69N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 36.5A; 330W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 36.5A Power dissipation: 330W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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| STW69N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 18.04 EUR |
| STW69N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 18.04 EUR |
| STW69N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
MOSFETs N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 23.09 EUR |
| 10+ | 15.35 EUR |
| 600+ | 14.22 EUR |
| 1200+ | 12.82 EUR |
| STW69N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 58A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 58A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 26.2 EUR |
| 30+ | 15.92 EUR |
| 60+ | 15.27 EUR |
| STW69N65M5 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW69N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 58 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STW69N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 58 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 38.91 EUR |
| 9+ | 27.45 EUR |
| 10+ | 22.38 EUR |
| 50+ | 19.43 EUR |
| 100+ | 17.93 EUR |
| 250+ | 16.65 EUR |
| STW69N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 36.5A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 36.5A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)