STW6N120K3
Produktcode: 177072
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Lieblingsprodukt
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 1200 V
Drain-Strom Idd, A: 6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,94 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1050/39
Montage: THT
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Weitere Produktangebote STW6N120K3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| STW6N120K3 | STM |
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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STW6N120K3 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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STW6N120K3 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 1200V 1.95 Ohm 6A Zener SuperMESH3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STW6N120K3 |
![]() |
Hersteller: STM
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 Транзистори
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 Транзистори
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| STW6N120K3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 100 V
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| STW6N120K3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 1200V 1.95 Ohm 6A Zener SuperMESH3
MOSFETs N-Ch 1200V 1.95 Ohm 6A Zener SuperMESH3
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