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STW88N65M5

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Produktcode: 55508
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
STW88N65M5 STW88N65M5 STMicroelectronics stw88n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 740 Stücke:
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11+13.24 EUR
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STW88N65M5 STW88N65M5 STMicroelectronics stw88n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW88N65M5 STW88N65M5 STMicroelectronics en.DM00042858.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 84A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8825 pF @ 100 V
auf Bestellung 676 Stücke:
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30+15.92 EUR
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STW88N65M5 STW88N65M5 STMicroelectronics en.DM00042858.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
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10+16.12 EUR
100+14.85 EUR
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STW88N65M5 STW88N65M5 STM STW%28A%2988N65M5.PDF N-кан. MOSFET 650V 84A TO-247 Транзистори
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STW88N65M5 STW88N65M5 ST info-tstw88n65m5.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450W; -55°C ~ 150°C; STW88N65M5 TSTW88N65M5
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STW88N65M5 STW88N65M5 STMicroelectronics STW88N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.5A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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STW88N65M5 STW88N65M5 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000145959-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW88N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 84 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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STW88N65M5 stw88n65m5.pdf
STW88N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW88N65M5 stw88n65m5.pdf
STW88N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW88N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 84A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8825 pF @ 100 V
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
auf Bestellung 4278 Stücke:
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STW88N65M5 STW%28A%2988N65M5.PDF
STW88N65M5
Hersteller: STM
N-кан. MOSFET 650V 84A TO-247 Транзистори
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STW88N65M5
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450W; -55°C ~ 150°C; STW88N65M5 TSTW88N65M5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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STW88N65M5 STW88N65M5.pdf
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.5A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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STW88N65M5 SGST-S-A0000145959-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STW88N65M5
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW88N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 84 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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